تسير سامسونج خطوات متقدمة على منافسيها في سوق رقائق الذكاء الاصطناعي الناشئ، من خلال إعلانها عن تطوير الرقاقة المُستخدمة للذاكرة العشوائية الديناميكية بميّزة نطاقها الترددي المرتفع. HBM3E 12H DRAM مع تقنية TC NCF المتقدمة.
تستخدم شرائح الذاكرة الديناميكية ذات الوصول العشوائي والتي تتميز بنطاق ترددي واسع استهلاكاً قليلاً للطاقة، وذلك من خلال امتلاكها لقنوات اتصال فسيحة.
تقوم هذه الشرائح بتطبيق تقنية التكديس العمودي لتجنب التأخيرات والانسدادات في المعالجة التي تؤدي إليها الشرائح التقليدية.
تُشير TC NCF إلى المادة التي لا توصل الضغط الحراري، أي تلك الطبقة التي تُستخدم كعازل بين الطبقات المتعددة داخل رقائق الدوائر المتكدسة.
تقدم TC NCF خصائص محسنة فيما يخص الحرارة للمساهمة في تعزيز التبريد، وكذلك الأسلوب الذي يتم تطبيقه في الذاكرة HBM3E 12H DRAM الحديثة يساهم أيضاً في رفع كفاءة الإنتاج.
قامت الشركة بالإعلان عن بدء توزيع عينات من طراز HBM3E 12H على زبائنها، ومن المتوقع أن يتم الشروع في الإنتاج بكميات كبيرة خلال الأشهر الستة الأولى من العام الجاري.
صرح نائب الرئيس التنفيذي لتخطيط منتجات الذاكرة في شركة سامسونج، باي يونج تشيول، قائلاً: “إن مزودي خدمات الذكاء الاصطناعي يحتاجون إلى رقائق ذاكرة الوصول العشوائي الفائقة التي تتسم بسرعة نقل البيانات العالية، ولهذا الغرض قمنا بتطوير الرقاقة HBM3E 12H لتفي بتلك المتطلبات”.
وقد جاءت هذه الشريحة الحديثة كعنصر من استراتيجية سامسونج لتعزيز التقنيات الأساسية وتقديم القيادة في مجال التطوير التقني لسوق وحدات ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكي ذات السعة العالية في زمن تطور الذكاء الاصطناعي.
صرحت شركة سامسونج أنه بالنظر إلى التطور السريع الحاصل في سوق الذكاء الصناعي، فإن وحدات الذاكرة العشوائية الديناميكية المتميزة بسرعات نقل بيانات عالية قد تشكل الخيار الأنسب للأنظمة الحديثة التي تحتاج إلى ذاكرة موسعة.
تشير التوقعات إلى إمكانية رفع معدل سرعة تدريب الذكاء الاصطناعي بنسبة 34 بالمئة عبر الاستفادة من استخدام طرق معينة. HBM3E 12H في تطبيقات الذكاء الاصطناعي، تتفوق الشريحة HBM3 8H، حيث يرتفع عدد المستخدمين الذين يتشاركون في استخدام خدمات الاستنتاج بنسب تفوق العدد بمقدار 11.5 مرة.
أفادت شركة سامسونج أن كفاءة الرقاقة الإلكترونية وإمكانياتها تمكن العملاء من توزيع الموارد بصورة متجددة ومتكيفة، مع الحفاظ على خفض التكاليف الكلية المتعلقة بتملك وإدارة مراكز المعلومات.
تقدم الشريحة HBM3E 12H نطاق ترددي مرتفع يبلغ ذروته عند 1280 جيجابت في الثانية، بالإضافة إلى ذاكرة بسعة 36 جيجابايت.
كما أن هذه الشريحة تعزز من النطاق الترددي والسعة بزيادة تصل إلى 50 بالمئة مقارنة بالإصدار السابق HBM3 8H.
